收藏本站
Si6467BDQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
0.024
6000
5000
0.018
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
4000
3000
C iss
0.012
0.006
0.000
V GS = 4.5 V
2000
1000
0
C rss
C oss
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
12
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 6 V
I D = 8 A
V GS = 4.5 V
I D = 8 A
1.2
4
3
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
12
24
36
48
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 8 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72087
S-80682-Rev. D, 31-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI6924AEDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP
SI6926ADQ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
SI6928DQ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
SI6933DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6955ADQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6966DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6966EDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6967DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP
相关代理商/技术参数
SI6467DQ 功能描述:MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467DQ-T1 功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6469DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6469DQT1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI6469DQ-T1 功能描述:MOSFET 8V 6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6469DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6469DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 6.0A 1.5W 28mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube